C1: Memristive Bauelemente und Materialien

Das Ziel von Projekt C1 sind innovative Materialien und Konzepte für memristive Bauelemente und deren Integration in neuromorphe Systeme. Hierzu sollen 2-lagige memristiven Bauelemente, deren Schaltmechanismen auf Grenzflächeneffekten beruhen entwickelt werden. Dazu werden zwei Entwicklungsstränge verfolgt: (1) dünne Metalloxidschichten (MOx) und (2) Übergangsmetall Dichalcogenide (TMDC). Bei beiden Konzepten grenzen diese Schichten an ein ultradünnes Festkörperionenreservoir (SSIR). Ziel ist die Integration von anwendungsspezifischen Bauelementen in CMOS-Back-End-Prozesse und ein detailliertes Verständnis des Schaltmechanismus.