C4: Multiskalenanalysen struktureller, elektronischer und chemischer Mechanismen in memristiven Bauteilen

Die mikroskopischen Eigenschaften und Schaltdynamiken von grenzflächenbasierten memristiven Bauelementen werden umfassend bestimmt im Hinblick auf ein grundlegendes Verständnis und die Optimierung ihrer Funktion. Hierfür werden komplementäre leistungsfähigste Methoden der Transmissions-Elektronenmikroskopie und synchrotronbasierten Photoelektronen-Spektroskopie kombiniert zu Multiskalen- und In-Operando-Analysen struktureller, elektronischer und chemischer Eigenschaften. Der Fokus liegt auf Metalloxid- und Übergangsmetalldichalkogenid-basierten memristiven Bauelementen sowie Partikelsystemen und Piezo-Feldeffekttransistoren.